Samsung telah mula mengeluarkan memori kad 512GB dengan hi-speed reading dan writing pada kelajuan 2100MB. Memori kad ini di kuasai dengan Universal Flash Storage (eUFS) 3.0.

Memori cip ini merupakan kad untuk telefon bimbit bagi generasi akan datang, memori kad ini menjanjikan kepantasan read dan write dengan kelajuan maksimum!

Foto: Business Wire

Apa yang menarik adalah memori kad ini mempunyai bacaan speed di antara 2100MB dan 410MB, di mana ia dua kali lebih pantas dari memori kad yang pernah di keluarkan oleh Samsung dahulu.

Foto: Storage Reviews

Dalam pelancaran memori kad 512GB eUFS 3.0, Samsung juga melancarkan satu lagi memori kad dengan spesifikasi yang sama cuma kapasiti simpanan sahaja yang berlainan iaitu 128GB. Kedua-dua kad ini akan di lancarkan dalam bulan yang sama.

Malah, Samsung juga merancang untuk mengeluarkan memori kad dengan kapasiti simpanan 1TB dan 256GB dalam tahun ini. Meskipun syarikat elektronik gergasi Korea ini mengumumkan pelancaran memori kad yang baru, tetapi masih belum ada sebarang maklumat tentang bilakah kedua-dua memori kad ini akan di lancarkan. Sama-samalah kita nantikan kemunculan kad ini di pasaran.